一、電機(jī)控制與充氣過(guò)程管理

充氣泵一般配置有電機(jī)驅(qū)動(dòng)氣泵系統(tǒng)，而 MOS 管通過(guò)調(diào)節(jié)電流通斷來(lái)掌控電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。于充氣進(jìn)程之中，MOS 管對(duì)電流實(shí)施動(dòng)態(tài)調(diào)控，由此能夠精確地調(diào)整充氣速度以及氣壓值，有效規(guī)避因胎壓異常（過(guò)高或過(guò)低）所可能引發(fā)的安全隱患。眾多充氣寶內(nèi)置氣壓傳感器，當(dāng)氣壓達(dá)到預(yù)先設(shè)定的壓力值時(shí)，便能借助 MOS 管自動(dòng)關(guān)閉電源，實(shí)現(xiàn)足壓即停功能，全方位保障使用的安全性。此外，選用低導(dǎo)通電阻的 MOS 管，可降低電能損耗，在延長(zhǎng)電池續(xù)航能力方面發(fā)揮積極作用，從而滿足多次充氣的使用需求。

二、MOS 管的特性及其在充氣泵中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

快速響應(yīng)特性 ：MOSFET 具備極高的開(kāi)關(guān)速度，可達(dá)納秒級(jí)。以 IRF540N 為例，其開(kāi)關(guān)時(shí)間大約為 30 納秒。這一特性確保了在電機(jī)高頻啟停的過(guò)程中，能夠顯著減少能量損耗，提升充氣泵的整體能效。

低導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì) ：采用溝道型 MOSFET，如 IRLZ44N，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至 8 毫歐（數(shù)據(jù)源自 Infineon 技術(shù)手冊(cè)）。較低的導(dǎo)通電阻有助于減少發(fā)熱現(xiàn)象，進(jìn)而提升充氣效率，保障充氣泵在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中的穩(wěn)定性和可靠性。

PWM 調(diào)速功能 ：借助調(diào)節(jié)柵極脈沖寬度（通常頻率范圍在 20 千赫茲至 100 千赫茲之間），可精準(zhǔn)地控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，從而使充氣泵能夠適應(yīng)多樣化的充氣需求場(chǎng)景。例如，針對(duì)輪胎充氣與氣墊床充氣所要求的不同壓力標(biāo)準(zhǔn)，PWM 調(diào)速能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)適配，確保充氣效果符合預(yù)期。

三、充氣泵電路圖解析

在典型的充氣泵電路設(shè)計(jì)中，采用了 boost 壓型 2 串鋰電充電管理電路架構(gòu)。其工作原理為：將 5 伏輸入電壓進(jìn)行升壓處理，以為兩串鋰電提供充電電壓。電路中所使用的 8 腳無(wú)字芯片，實(shí)際上是一款集成了升壓與充電管理功能的一體 IC。在其右側(cè)配置有一顆 3.0 伏 LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器），主要功用是為單片機(jī)供應(yīng)穩(wěn)定的電源電壓。

進(jìn)一步聚焦于充電電路部分，電路中運(yùn)用了三顆 MOS 管。其中，位于上方的一顆 MOS 管主要用于控制電機(jī)的啟動(dòng)與停止操作；而位于下方的兩顆 MOS 管則構(gòu)成了鋰電保護(hù)電路中的充電和放電控制管。此外，電路中還設(shè)置有大貼片電阻，其主要作用是對(duì)輸出電流進(jìn)行取樣檢測(cè)，以便實(shí)現(xiàn)對(duì)充氣泵輸出功率的精準(zhǔn)調(diào)控。而在電路的左側(cè)配置有一顆二極管，其核心功能在于吸收電機(jī)所產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，從而對(duì)電路起到有效的保護(hù)作用，避免因反電動(dòng)勢(shì)沖擊而導(dǎo)致的電路元件損壞等問(wèn)題，確保充氣泵電路系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。

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