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    • 發(fā)布時(shí)間:2025-05-24 18:21:22
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    mos管經(jīng)常燒壞的原因與解決方法介紹
    在電子電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,MOS管作為一種關(guān)鍵半導(dǎo)體器件,常因多種因素出現(xiàn)燒毀故障。深入探究這些原因并采取有效防范措施,對(duì)保障電路穩(wěn)定運(yùn)行、延長(zhǎng)MOS管使用壽命具有關(guān)鍵意義。
    一、過(guò)電壓
    電壓瞬間飆升至超出MOS管耐壓范圍即為過(guò)電壓。電源電壓波動(dòng)、開(kāi)關(guān)電路故障、電感電容反復(fù)開(kāi)關(guān)引發(fā)的反向電壓等,均易造成此狀況。鑒于MOS管耐壓閾值較低,即使超壓僅持續(xù)幾納秒,也可能致其損壞。因此,設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)保守選定MOS管額定電壓,預(yù)留安全裕量,并運(yùn)用抑制電壓尖峰、振鈴等技術(shù)手段,如并聯(lián)阻容吸收網(wǎng)絡(luò)、采用磁環(huán)等。
    二、過(guò)電流
    當(dāng)電路電流急劇攀升至遠(yuǎn)超MOS管承載上限時(shí),即發(fā)生過(guò)電流。輸出負(fù)載過(guò)重、開(kāi)關(guān)電路失靈、電感電容反向電流沖擊等因素可能引發(fā)此問(wèn)題。MOS管導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,大電流流過(guò)會(huì)產(chǎn)生顯著熱耗散,若散熱不佳,易因過(guò)熱燒毀。為應(yīng)對(duì),可并聯(lián)多個(gè)MOS管分擔(dān)高負(fù)載電流,同時(shí)優(yōu)化散熱設(shè)計(jì),如加裝散熱片、風(fēng)扇等。
    三、靜電放電與高溫
    MOS管對(duì)靜電極為敏感,與其他元件或人體接觸產(chǎn)生的電荷交換,若靜電能量過(guò)大,易使其擊穿損壞。高溫環(huán)境則會(huì)降低其電性能,加速器件老化。為防范,需確保焊接質(zhì)量,避免虛焊、冷焊;強(qiáng)化散熱設(shè)計(jì),采用導(dǎo)熱硅脂、散熱片等;同時(shí)在使用、運(yùn)輸、存儲(chǔ)環(huán)節(jié)采取防靜電措施,如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電包裝。
    四、開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大
    開(kāi)關(guān)損耗常大于導(dǎo)通損耗,當(dāng)損耗超出MOS管耐受極限,將導(dǎo)致器件損壞。設(shè)計(jì)電路時(shí)要合理選型元件,優(yōu)化電路參數(shù),降低開(kāi)關(guān)頻率,避免不必要的開(kāi)關(guān)操作,以控制開(kāi)關(guān)損耗在合理范圍。
    五、擊穿(交叉?zhèn)鲗?dǎo))
    兩個(gè)相對(duì)MOS管的控制信號(hào)若出現(xiàn)重疊,可能造成二者同時(shí)導(dǎo)通,引發(fā)擊穿。這會(huì)使電源短路,去耦電容經(jīng)兩器件快速放電,形成短時(shí)強(qiáng)脈沖電流沖擊器件。設(shè)計(jì)時(shí)要精確控制驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序,避免控制信號(hào)重疊,可設(shè)置死區(qū)時(shí)間,確保MOS管交替導(dǎo)通,杜絕同時(shí)導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。
    六、未設(shè)續(xù)流路徑
    電感負(fù)載電流切換時(shí),若無(wú)續(xù)流通路,MOS管易受損。工程師設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)為電感負(fù)載提供續(xù)流回路,如反并聯(lián)續(xù)流二極管,為電感儲(chǔ)能釋放提供通路,避免瞬態(tài)高壓沖擊MOS管。
    七、柵極串聯(lián)電阻問(wèn)題
    MOS管屬電壓控制型器件,柵極串聯(lián)電阻不可省略,其起隔離保護(hù)作用。電阻過(guò)大,會(huì)使MOS管結(jié)電容充電緩慢,延遲飽和開(kāi)通時(shí)間,導(dǎo)致管子過(guò)熱燒毀。一般建議該電阻阻值控制在10k以內(nèi)。此外,在電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制電路中,4個(gè)續(xù)流二極管不可省略,它們能保護(hù)控制電路,若控制管為MOS管,且其內(nèi)部無(wú)寄生二極管時(shí),才無(wú)需外接。
    mos管燒壞
    八、雪崩破壞
    當(dāng)漏極-源極承受超出額定VDSS的電涌電壓,達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS且能量過(guò)大時(shí),MOS管將發(fā)生雪崩破壞。如開(kāi)關(guān)電感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓、漏磁電感尖峰電壓等,都可能超出MOS管耐壓,造成雪崩。設(shè)計(jì)電路時(shí)要充分考慮可能產(chǎn)生的過(guò)電壓情況,選用具備雪崩能力的MOS管,或增設(shè)電壓鉗位電路,如壓敏電阻、瞬態(tài)抑制二極管等,抑制過(guò)電壓沖擊。
    mos管燒壞
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