XXW4012場效應(yīng)管,N+PMOS管XXW4012參數(shù)資料,XXW4012引腳圖,XXW4012中文資料規(guī)格書PDF
XXW4012 TO252-4封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
XXW4012場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：25A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：25W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=8A,VGS=10V： Typ 17mΩ Max 22mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 25mΩ Max 35mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-25A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：31.3W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-8A,VGS=-10V： Typ 32mΩ Max 45mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-4A,VGS=-4.5V：Typ 47mΩ Max 70mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
XXW4012場效應(yīng)管TO252-4L封裝尺寸：
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