相比二極管，使用MOS管作為電池反向保護的電路設(shè)計并不常見。然而常用的二極管反向保護也存在一些缺點：壓降很高。這在低壓電流中容易產(chǎn)生許多問題，相反，MOS管反而解決了這個問題。
為什么需要反向保護?
在直流系統(tǒng)中，當(dāng)電池接反時，使用電池作為電源的電路會遭到損壞。
今天我們主要分為NMOS和PMOS兩部分進行講解。
我們看下面這個電路：NMOS
電路開啟時，電流從電池的正極端子流向設(shè)備，隨后流向體二極管，最后流向電池的負極端子。
此時，體二極管在正向偏置時導(dǎo)通。
當(dāng)體二極管打開時，現(xiàn)有的電流在電路中循環(huán)。
這時柵極電壓為
Vgs=Vg-Vs
Vg=V電池
Vs=二極管壓降
VGS = VG – VS = Vbattery – 二極管壓降
這會導(dǎo)致施加到MOSFET柵極到源極的正電平。因此，NMOS將開始導(dǎo)通，電流將流向溝道而并非二極管。
我們看下面的電路：PMOS
當(dāng)電池電壓存在時，電流流經(jīng)體二極管，體二極管導(dǎo)通；這是因為陽極側(cè)施加了正電壓，但電池電壓必須高于二極管的正向偏置電壓。
當(dāng)二極管為正向偏置時，MOSFET源極中的電壓電平，回味電池電壓減去體二極管的壓降。
MOSFET的柵極連接到電池負極端子或者接地，意味著施加到柵極和源極的電壓為：
Vgs=Vg-VS
Vg=0V
VS = Vbattery – Vdrop（這是一個正值）
VGS = VG – VS = 0V – 正電壓 = 負電壓
當(dāng)施加到柵極與源極的電壓為負時，PMOS將會被激活。
不過，它需要滿足每個MOSFET柵極到源極電壓的要求，一般額定電壓限制在+/-20V。
當(dāng)MOSFET激活時，通道將會關(guān)閉，電流流經(jīng)MOS，不會流向體二極管。
在反向電壓電路中，NMOS和PMOS這兩種電路，電池反向期間，電路電流基本為零。這相當(dāng)于不允許MOS管電流流動，從而保護連接到電池的電路或者設(shè)備。
MOSFET作為反向電池保護，連接的方式相比二極管會復(fù)雜一些，但它能夠?qū)崿F(xiàn)較低的壓降，性能較高，因此它非常適用于低壓應(yīng)用。
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