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    MOS管場(chǎng)效應(yīng)管漏極導(dǎo)通特性解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-09-12 21:18:38
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    MOS管場(chǎng)效應(yīng)管漏極導(dǎo)通特性解析
    MOS場(chǎng)效應(yīng)管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,有以下幾種常見的類型:
    1. N溝道MOSFET(N-Channel MOSFET):這是一種以N型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中,溝道區(qū)域由N型材料構(gòu)成,通過正向偏置來控制電流。
    2. P溝道MOSFET(P-Channel MOSFET):這是一種以P型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中,溝道區(qū)域由P型材料構(gòu)成,通過負(fù)向偏置來控制電流。
    3. 增強(qiáng)型MOSFET(Enhancement-Mode MOSFET):增強(qiáng)型MOSFET需要在門極施加一個(gè)正向電壓才能導(dǎo)通。在未施加正向電壓時(shí),它是一個(gè)高阻態(tài)。
    4. 耗盡型MOSFET(Depletion-Mode MOSFET):耗盡型MOSFET在未施加電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài),需要在門極施加一個(gè)負(fù)向電壓才能截止。
    5. 雙增強(qiáng)型MOSFET(Dual Enhancement-Mode MOSFET):這是一種具有兩個(gè)增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu),常常用來構(gòu)成模擬電路的互補(bǔ)對(duì)。
    除了上述幾種常見類型的MOSFET外,還存在其他一些特殊類型的MOSFET,如MOS管陣列、MOSFET放大器芯片等。不同類型的MOSFET在特性、應(yīng)用和工作原理上有所區(qū)別,具體選擇應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用要求進(jìn)行。
    MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是什么?
    MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下,MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
    MOS管場(chǎng)效應(yīng)管漏極導(dǎo)通特性
    MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示,其工作特性有MOS管三個(gè)工作區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和?完全導(dǎo)通區(qū)。 其中,線性區(qū)也稱恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū);完全導(dǎo)通區(qū)也稱可變電阻區(qū)。 通常MOSFET工作于開關(guān)狀態(tài),在截止區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)之間高頻切換,由于在切換過程中要經(jīng)過線性區(qū),因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。
    對(duì)于增強(qiáng)型MOSFET(Enhancement-Mode MOSFET),在沒有施加足夠的正向電壓(稱為閾值電壓)到柵極上時(shí),它處于截止?fàn)顟B(tài),漏極電流極小。只有當(dāng)柵極施加了大于閾值電壓的正向電壓時(shí),才會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電通道,允許電流從漏極到源極流過。因此,增強(qiáng)型MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是需要外部輸入適當(dāng)?shù)男盘?hào)以打開導(dǎo)電通道的。
    對(duì)于耗盡型MOSFET(Depletion-Mode MOSFET),在沒有施加負(fù)向電壓到柵極上時(shí),它處于導(dǎo)通狀態(tài),漏極電流存在。當(dāng)柵極施加負(fù)向電壓時(shí),負(fù)向電壓會(huì)排斥導(dǎo)電通道中的載流子,使得通道變窄或關(guān)閉,減小或截止漏極電流。
    不同類型的MOSFET具有不同的工作特性和開啟條件,因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要根據(jù)具體型號(hào)和應(yīng)用要求選擇合適的MOSFET類型,以確保所需的漏極導(dǎo)通特性得到滿足。
    功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí),器件承受高的電壓和耗盡層高壓偏置會(huì)產(chǎn)生什么影響?
    MOS管場(chǎng)效應(yīng)管漏極導(dǎo)通特性
    功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí),器件承受高的電壓,耗盡層高壓偏置導(dǎo)致有效的體電荷減小;工作電壓越高,內(nèi)部的電場(chǎng)越高,電離加強(qiáng)產(chǎn)生更多電子-空穴對(duì),形成較大的空穴電流。 特別是如果工藝不一致,局部區(qū)域達(dá)到臨界電場(chǎng),會(huì)產(chǎn)生非常強(qiáng)的電離和更大的空穴電流,增加寄生三極管導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
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