MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導(dǎo)體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當(dāng)于塑料閥門頭，MES/MOD是銅閥門頭。
MESFET和MODFET的區(qū)別
MODFET有異質(zhì)結(jié)，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。
所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線性區(qū)。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達(dá)到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。
根據(jù)閾值電壓的正或負(fù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為增強(qiáng)型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬半導(dǎo)體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結(jié)構(gòu)。使用肖持基勢(shì)壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結(jié)構(gòu)上除柵極下方的異質(zhì)結(jié)外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結(jié)界面上形成二維電子氣(亦即可傳導(dǎo)的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過(guò)溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)高頻指標(biāo)。在給定長(zhǎng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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