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    解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-04-12 17:40:13
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    解析什么是IGBT中的閂鎖效應(yīng)
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能兩方面的優(yōu)點(diǎn)。閂鎖會(huì)使IGBT失去柵控能力,器件無(wú)法自行關(guān)斷,甚至?xí)GBT永久性燒毀。
    IGBT應(yīng)用領(lǐng)域
    IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。
    閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來(lái)聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
    一般我們認(rèn)為IGBT的理想等效電路如下圖所示:
    IGBT 閂鎖效應(yīng)
    上圖直觀地顯示了IGBT的組成,是對(duì)PNP雙極型晶體管和功率MOSFET進(jìn)行達(dá)林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。
    故在G-E之間外加正向電壓使MOS管導(dǎo)通時(shí),PNP晶體管的基極-集電極之間就連上了低電阻,從而使PNP晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
    此后,使G-E之間的電壓為零或者負(fù)壓時(shí),首先MOS管處于斷路狀態(tài),PNP晶體管的基極電流被切斷,從而使IGBT關(guān)斷。所以,IGBT和MOS一樣,都是電壓控制型器件。
    閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生是在哪里?
    其實(shí)IGBT的實(shí)際等效電路與上面我們講到的理想等效電路略有不同,還需要考慮其內(nèi)部寄生的電容,如下圖:
    IGBT 閂鎖效應(yīng)
    從上圖我們可以看出,實(shí)際等效電路是由可控硅和MOS構(gòu)成的。內(nèi)部存在一個(gè)寄生的可控硅,在NPN晶體管的基極和發(fā)射極之間并有一個(gè)體區(qū)擴(kuò)展電阻Rs,P型體內(nèi)的橫向空穴電流會(huì)在Rs上產(chǎn)生一定的電壓降,對(duì)于NPN基極來(lái)說(shuō),相當(dāng)于一個(gè)正向偏置電壓。
    在規(guī)定的集電極電流范圍內(nèi),這個(gè)正偏電壓不會(huì)很大,對(duì)于NPN晶體管起不了什么作用。當(dāng)集電極電流增大到一定程度時(shí),該正向電壓則會(huì)大到足以使NPN晶體管開通,進(jìn)而使得NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)。
    此時(shí),寄生晶閘管導(dǎo)通,門極則會(huì)失去其原本的控制作用,形成自鎖現(xiàn)象,這就是我們所說(shuō)的閂鎖效應(yīng),也就是擎住效應(yīng),準(zhǔn)確的應(yīng)該說(shuō)是靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后,集電極的電流增大,產(chǎn)生過(guò)高的功耗,從而導(dǎo)致器件失效。
    動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時(shí)電流下降太快(di/dt大),dv/dt很大,引起的較大位移電流,流過(guò)Rs,產(chǎn)生足以使NPN晶體管導(dǎo)通的正向偏置電壓,造成寄生晶閘管的自鎖。
    在IGBT中,在有過(guò)電流流過(guò)時(shí),我們通過(guò)控制門極來(lái)阻斷過(guò)電流,從而進(jìn)行保護(hù)。但是,一旦可控硅觸發(fā),由于可控硅不會(huì)由于門極的阻斷信號(hào)等而進(jìn)行自動(dòng)消弧,因此此時(shí)的IGBT不可能關(guān)斷,最終導(dǎo)致IGBT因過(guò)電流而損壞。
    那么我們可以怎么樣來(lái)防止或者說(shuō)是減小擎住效應(yīng)呢?
    一般有以下幾種技術(shù):
    采用難以產(chǎn)生擎住效應(yīng)的構(gòu)造,也就是減小體區(qū)擴(kuò)展電阻Rs。
    通過(guò)優(yōu)化n緩沖層的厚度和摻雜來(lái)控制PNP晶體管的hFE。
    通過(guò)導(dǎo)入降低壽命的手段來(lái)控制PNP晶體管的hFE。
    所以,關(guān)于IGBT的實(shí)際應(yīng)用,我們是不允許其超安全工作區(qū)域的,針對(duì)這個(gè),我們采用了很多保護(hù)手段。所以,每個(gè)元器件,有的時(shí)候我們考慮的只是我們需要觀察的,但是其背后的故事則會(huì)告訴我們,為什么我們應(yīng)該這樣去考量。
    從原材料到成品IGBT,這個(gè)過(guò)程經(jīng)歷了太多環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)都很重要,這才有了滿足我們需求的各類元器件。
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