MOS管是金屬 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半導(dǎo)體 （semiconductor） 場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 （beta） 。另一種晶體管叫做場效應(yīng)管 （FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體 （MOS） 晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （MOSFET） 。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
MOS管的優(yōu)勢
可應(yīng)用于放大，由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器
很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換
可以用作可變電阻
可以方便地用作恒流源
可以用作電子開關(guān)
在電路設(shè)計上的靈活性大，柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作；另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配
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