MOS管、三極管-電平轉(zhuǎn)換電路分析
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計中會經(jīng)常用到，市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快，多使用在速度較高的通訊接口，一般對速度要求不高的控制電路，則可使用此文介紹的分立器件搭建的電平轉(zhuǎn)換電路。
1、NPN三極管
下圖使用NPN三極管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于單向的電平轉(zhuǎn)換
信號發(fā)生器：3.3V，10k，50%，方波
注意事項：
（1）該電路的信號只能單向傳輸，b→c。也可以使用NPN三極管+二極管模擬一個NMOS管來實現(xiàn)雙向傳輸，但 一般不會這樣使用，故此處不做介紹；
（2）輸入輸出為反向，可通過兩個三極管解決反向的問題，但會影響整體電路的延時和轉(zhuǎn)換速度；
（3）三極管所能達到的開關(guān)速度約為幾十khz，下次補上實際的測試數(shù)據(jù)。
備注：該電路所能達到的轉(zhuǎn)換速度主要由三極管的導通延時和c極的放電回路所產(chǎn)生的延時、三極管的斷開延時和c極的充電回路所產(chǎn)生的延時產(chǎn)生。三極管一般不存在導通延時，且ce導通時，ce本身就是“非常好”的放電回路，故放電回路也不會存在延時問題，即導通期間幾乎不存在延時。
三極管斷開時會存在延時，一般為us級別，不同型號具體參數(shù)也不同，且斷開時，c極需要充電，即R2、Cce的充電回路也會產(chǎn)生延時，此延時一般取3個\tau的延時，故斷開期間的總延時為Toff + 3R2 * Cce = Toff + 3\tau，對于一般應(yīng)用而言，斷開期間的總延時需要小于1/3的時間長度。
即Toff + 3\tau ＜ 1/3 * 1/2T，故T ＞ 6（Toff + 3\tau）。故理論上最大的轉(zhuǎn)換頻率為f ＜1/{6(Toff + 3\tau)}。Toff和Cce可通過三極管規(guī)格書查閱，R2為設(shè)計參數(shù)。
圖3中的T1-T2即為三極管的斷開延時，此仿真數(shù)據(jù)為383ns。
上述理論頻率是基于兩個前提條件：1、50%占空比；2、斷開期間的總延時需要小于1/3的時間長度。
2、NMOS管
下圖使用NMOS管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于雙向的電平轉(zhuǎn)換
信號發(fā)生器：3.3V，10k，50%，方波（圖5）；5.0V，10k，50%，方波（圖7）
原理分析：
（1）S→D方向
S為低電平時，Vgs導通，故漏極D為低電平；此處需要注意電路是否滿足Vgs的導通電壓
S為高電平時，Vgs截止，故漏極D由于VCC1的上拉而為高電平。
（2）D→S方向
D為低電平時，存在VCC、R2、NMOS的體二極管回路，故源極S為低電平；二極管壓降大小和流過的電流相關(guān)
D為高電平時，上述回路不存在，故源極S由于VCC的上拉而為高電平。
注意事項：
（1）VCC1 ＞ VCC - 0.7，否則在D→S傳輸高電平時會出現(xiàn)問題，即Vs = VCC1+ 0.7，此時的Vs < VCC；
（2）需要注意MOS管的Vgs導通電壓，一般涉及到1.8V的電路需要注意器件選型；
（3）MOS管所能達到的開關(guān)速度約為100khz左右（需要將R1改為0Ω），下次補上實際的測試數(shù)據(jù)；
（4）PMOS管只能實現(xiàn)單向的電平轉(zhuǎn)換，不能雙向。
備注：D→S方向，源極的高電平會出現(xiàn)5.0V的峰值（圖7），因為ds之間存在寄生電容，所以d級電平快速的從0變?yōu)?.0V時，存在電荷泵現(xiàn)象（電容兩端的電壓不能突變），導致s級的電壓直接泵到5.0V，但馬上會通過R2、VCC將多余的電壓釋放掉。
若將信號發(fā)生器XFG1的上升時間設(shè)置為1us（默認為1ps）,則幾乎不存在5.0V峰值，因為此時s級在泵到5.0V的過程中就已經(jīng)同時通過R2、VCC泄放電壓了。
將R1改為0Ω便解決了電荷泵的峰值問題，且開關(guān)速度能大幅提高，達到100k左右，因為此時的R1*Cgs的延時變小了，MOS管開關(guān)速度變快了。MOS管是電壓驅(qū)動型，R1改為0Ω不會存在什么問題。
圖4 S→D
圖5 S→D仿真數(shù)據(jù)
圖6 D→S
圖7 D→S仿真數(shù)據(jù)
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