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  6. 場效應(yīng)管詳解-場效應(yīng)管的作用是什么
    • 發(fā)布時間:2020-05-29 17:04:33
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    場效應(yīng)管詳解-場效應(yīng)管的作用是什么
    場效應(yīng)管簡介
    說到場效應(yīng)管,它到底有什么作用,到底好在哪些地方呢?這也是這篇文章要講的,現(xiàn)在我們來看看場效應(yīng)管的簡介,它主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
    場效應(yīng)管,場效應(yīng)管的作用
    它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
    場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
    由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。
    場效應(yīng)管的主要參數(shù)
    場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運用時只需關(guān)注以下主要參數(shù):飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
    (1)飽和漏源電流
    飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
    (2)夾斷電壓
    夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
    場效應(yīng)管,場效應(yīng)管的作用
    (3)開啟電壓
    開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線,可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
    場效應(yīng)管,場效應(yīng)管的作用
    (4)跨導(dǎo)
    跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。
    (5)漏源擊穿電壓
    漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。
    (6)最大耗散功率
    最大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。運用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。
    (7)最大漏源電流
    最大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。
    場效應(yīng)管的作用,到底好在哪里
    場效應(yīng)管的作用如下:
    1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
    2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
    3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
    4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
    5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
    6.場效應(yīng)管在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配。
    場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。
    場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。
    有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
    場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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