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  6. MOS控制晶閘管是什么與其工作應(yīng)用
    • 發(fā)布時間:2020-03-25 15:54:56
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    MOS控制晶閘管是什么與其工作應(yīng)用
    MOS控制晶閘管由VAK Temple開發(fā)。它是一個電壓控制器,晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶閘管非常相似,但是它具有電壓控制絕緣的柵極。它具有兩個用于導(dǎo)通和關(guān)斷的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),并且在等效電路中具有相反的導(dǎo)電率。如果等效電路有一個晶閘管并用于接通,則稱為MOS門控晶閘管。
    什么是MOS控制晶閘管?
    MOS控制晶閘管是一種功率半導(dǎo)體器件。它具有通過MOS門控的電流和晶閘管電壓的能力,用于接通和關(guān)斷目的。它用于大功率應(yīng)用,例如大功率,大頻率,低傳導(dǎo)性,并用于后續(xù)工藝。以下符號是如下所示的P-MCT和N-MCT。
    MOS控制晶閘管
    P-MCT和N-MCT的電路符號
    MOS控制晶閘管的工作原理
    下圖顯示了MOS控制晶閘管的工作原理。它是通過MOS門控將電流和電壓功能結(jié)合在一起的。MOS門控用于MCT的開關(guān)ON / OFF。
    MOSFET接通時MCT
    通過使用負(fù)電壓脈沖,器件相對于陽極處于導(dǎo)通狀態(tài)。借助于陽極和柵極端子之間的電壓脈沖,使柵極端子相對于陽極為負(fù)。因此,MOS控制晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)。在啟動階段,MOS控制晶閘管為正向偏置。如果將負(fù)電壓施加到負(fù)電壓脈沖,則導(dǎo)通模式FET導(dǎo)通,并且截止FET模式已經(jīng)存在為截止?fàn)顟B(tài)。
    MOS控制晶閘管
    MOSFET接通MCT
    當(dāng)FET處于導(dǎo)通狀態(tài)時,電流從陽極流經(jīng)導(dǎo)通FET,然后流經(jīng)基極電流和發(fā)射極端子的npn晶體管,最后電流流經(jīng)陰極。因此,該過程使npn晶體管導(dǎo)通。如果OFF FET為OFF模式,則NPN晶體管用作PNP晶體管的基極電流。類似地,如果兩個晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)并且發(fā)生相關(guān)動作,則PNP晶體管導(dǎo)通,因此MCT導(dǎo)通。
    MOSFET關(guān)斷時MCT
    借助正電壓脈沖關(guān)閉設(shè)備。相對于陽極施加到柵極端子。然后,OFF FET切換到ON模式,而ON FET切換到OFF狀態(tài)。如果OFF FET導(dǎo)通,則pnp晶體管會因發(fā)射極端子和基極端子短路。因此,陽極電流流過OFF FET。因此,NPN晶體管的基極電流減小。反向電壓阻斷能力是該設(shè)備的缺點。
    等效電路圖
    下圖顯示了MOS控制晶閘管的等效電路圖。該電路由兩個N溝道MOSFET晶體管組成,另一個是P溝道。P通道用于打開FET,n通道用于關(guān)閉OFF FET。該電路由兩個晶體管組成,分別是npn和pnp晶體管。如果將這兩個晶體管連接在一起以形成MOS控制晶閘管的npnp結(jié)構(gòu)。p溝道MOSFET由從柵極端子連接的箭頭標(biāo)識。
    MOS控制晶閘管
    MOS控制晶閘管的等效電路圖
    MOS控制晶閘管的應(yīng)用
    MOS控制晶閘管的應(yīng)用包括以下內(nèi)容:
    • MOS控制晶閘管用于斷路器。
    • 它用于高功率應(yīng)用,例如高功率轉(zhuǎn)換。
    • MOS控制晶閘管用于感應(yīng)加熱。
    UPS系統(tǒng)
    • 它也用于DC-DC轉(zhuǎn)換器之類的轉(zhuǎn)換器中。
    • 可變功率因數(shù),操作在MCT中用作強制功率開關(guān)。
    MCT的優(yōu)勢
    • MOS控制晶閘管的正向?qū)▔航档汀?/div>
    • 它具有低開關(guān)損耗。
    • 它具有較高的柵極輸入阻抗。
    • 它可以非常快速地打開/關(guān)閉。
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