MOS晶體管種類
按溝道區(qū)中載流子類型分
N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子
P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重摻雜的P＋，溝道中載流子為空穴
在正常青況下，只需一種類型的載流子在工作，因此也稱其為單極晶體管。
按工作方式分增強型晶體管：若在零柵壓下不存在漏源導電溝道，為了構成導電溝道，需求施加一定的柵壓，也就是說溝道要經(jīng)過、"增強"才干導通
耗盡型晶體管：器件本身在漏源之間就存在導電溝道，即使在零柵壓下器，件也是導通的e 若要使器件截止，就必需施加柵壓使溝道耗盡型。
假定、漏端電壓Vds為正，當柵上施加一個小于開啟電壓的正柵壓時，柵氧下面的P型表面區(qū)的空穴被耗盡，在硅表面構成一層負電荷，這些電荷被稱為耗盡層電荷Qb。這時的漏源電流為透露電流。假定Vgs>Vth，在哩硅表面構成可移動的負電蒲Qi層，即導電溝道。由于表面為N型的導電溝道與哩襯底的導電類型相反，因此該表面導電溝道被稱 為反型層。
在Vgs=Vth時，表面的少數(shù)載流子濃度（電子）等于休內(nèi)的多數(shù)載流子（空穴）的濃度。柵壓越高，表面少數(shù)載流子的電荷密度Qi越高。（可動電荷Qi也可稱為反型電荷）此時，假定漏源之間存在電勢差，由于載流子（NMOS中為電子）的擴散，會構成電流Ids。這時PN結的透露電流仍然存在，但它與 溝道電流相比非常小，普通可以忽略。由于反型電荷Qi猛烈地依賴與柵壓，因此可以應用柵壓控制溝道電流。
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